、声学、流体学等领域加快速度进行发展，应用场景范围十分广泛，例如喷墨打印头、变焦镜头、微型扬声器、微型反射镜以及触觉应用等。目前，压电执行器应用的主要材料是锆钛酸铅（PZT），它是一种
然而，由于铅（Pb）的存在，PZT压电执行器的应用存在长期威胁。事实上，Pb元素的加工会对人类健康和环境能够造成损害。从2000年开始，几乎所有的应用和设备都已开始立法禁止使用Pb，但是，在没有合适替代品的情况下，也有一些暂时的例外。欧盟的RoHS指令（限制在电气电子设备中使用某些有害于人体健康的物质）规定了对Pb的使用限制。该指令每3-5年定期审查一次。
就PZT而言，由于目前在执行器应用领域还没有合适的无铅替代品，因此，其豁免期一直持续到2026年。近20年来，全世界内一直在积极开发拥有非常良好性能的PZT替代无铅压电材料。值得指出的是，目前产业界已有的无铅压电材料，例如氮化铝（AlN）或Sc掺杂AlN，都无法在执行器中取代PZT，因为它们的压电系数对于所考虑的应用来说太低，其应用优点是横向压电系数d31（或e31）。
无铅压电材料铌酸钾钠（K, Na）NbO3（KNN）是近年兴起的最有前景的候选材料之一，它显示出与PZT相当的压电特性。不过，根据最近的研究，KNN对环境的总体影响似乎并不比PZT小。虽然KNN毒性较低，甚至与PZT相反具有不错的生物相容性，但由于Nb2O5的提炼过程，KNN会带来更多污染物。在大多数情况下要开发更环保的新型铌提取和纯化工艺，以及铌基化合物的回收工艺，才能使KNN从生态角度来看比PZT更具吸引力。
直到最近，有关KNN材料的大部分研究工作都是在学术层面、小尺寸衬底（最多几平方厘米）上完成的，而且并不全是基于压电MEMS标准硅衬底。然而，要商业化进入压电MEMS产业，需要扩大规模，并在集成度和可靠性方面逐渐完备，以满足产业界的需求。在最近的一篇论文中，住友化学（Sumitomo Chemical）证明了KNN薄膜可以沉积在直径达8英寸的大尺寸硅衬底上，并可使用量产的溅射机台在整个晶圆上实现良好的厚度均匀性。
（a）KNN集成工艺结束后的8英寸MEMS晶圆，放大图为各种通用MEMS结构，包括悬臂梁、微桥、开环和膜等，具有盘形或环形执行器；（b）层堆叠示意图；（c）悬臂梁自由端的SEM横截面图，可以清楚地看到5微米厚的Si膜，其上为结构化的KNN执行器。
（a）8英寸硅晶圆；（b）MEMS微镜俯视图；（c）MEMS微镜的二维扫描表征。
据麦姆斯咨询报道，法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学和雷恩第一大学的研究人员近期在8英寸硅晶圆技术平台上，采用工业兼容工艺将最先进的KNN薄膜集成到了MEMS执行器件中。这项研究成果已发表于Sensors andActuators A: Physical期刊。研究人员在整个8英寸硅晶圆上，对集成到电容器中厚度分别为1微米和1.9微米的KNN薄膜的铁电、介电和压电特性进行了评估。通过对KNN基器件（如悬臂梁和膜）进行机电测量，突出展示了执行器的特性。最后，研究人员将KNN薄膜用于驱动MEMS微镜。MEMS微镜在不久的将来有望成为推动市场发展的主要压电MEMS执行器之一。研究根据结果得出，这项KNN技术有望在压电MEMS行业取代含铅的PZT技术。
文章出处：【微信号：MEMSensor，微信公众号：MEMS】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
交流会暨增芯投产活动”，相关政府领导、业内专家学者和企业家等百余位嘉宾出席活动。 “增芯科技12
随着全球半导体产业的加快速度进行发展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而备受瞩目。近期，
投资热潮更是席卷全球，各大半导体厂商纷纷加大投入，积极布局这一新兴产业。
升级 /
代工厂Rogue Valley Microdevices（简称：RVM）近日宣布，其正在佛罗里达州棕榈湾建设的第二座晶圆厂将具备12
的iPad Pro的M4 AI芯片！ /
将成为中国Fabless向Fab-Lite转型企业中首家实现投产的12
领域的全球领导者Sheba Microsystems宣布推出一款革命性的
投资的最大驱动力。特别是电动汽车的动力总成逆变器和充电站的发展，预计随电动汽车采用率的持续上升，将推动全球
产能将创历史上最新的记录，中国大陆占22% /
代工企业的价格下调幅度在10%左右。据悉，价格下调时间和幅度根据公司和工程不一样。韩国
据电子时报报道，IC代工厂Vanguard International Semiconductor（VIS，世界先进）表示，尽管存在短期阻力，但
工厂的开工率将相差无几，但世界专家乐观地认为，随着库存调整和世界经济复苏，今后
Moldex3D模流分析之CUF Simulation Quick Start
GXWaterCollectionViewLayout可设置纵横方向和排列数的瀑布流布局
